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国防科技技术预先研究基金(8173)

作品数：9 被引量：25H指数：4
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地区

  • 9个陕西省
  • 2个江苏省
  • 1个广西
共 12 条 记 录，以下是 1-10
张义门
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨林安
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：环形电极 欧姆接触 GAN 耿氏二极管 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于春利
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：LDD MOSFET MESFET 碳化硅 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王守国
供职机构：西北大学信息科学与技术学院
研究主题：4H-SIC 压敏电阻器 粉体 固体物理学 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志勇
供职机构：西北大学
研究主题：SUB 电子结构 第一性原理 场发射 SNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永民
供职机构：西北工业大学
研究主题：表面态 半导体场效应晶体管 半场 功率 稳态响应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕红亮
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 半导体器件 MESFET 参数提取方法 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚仁喜
供职机构：广西大学电气工程学院
研究主题：光导开关 混沌 SOPC 电力电缆 GAAS光导开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阎军锋
供职机构：西北大学信息科学与技术学院
研究主题：电子结构 第一性原理 第一性原理计算 ZNO 半导体技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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