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国家自然科学基金(60306003)

作品数:6 被引量:2H指数:1
相关作者:张海鹏沈世龙杨宝岳亚富胡晓萍更多>>
相关机构:杭州电子科技大学大连理工大学杭州汉安半导体有限公司更多>>
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相关领域:电子电信理学更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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  • 2个电力电子技术
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地区

  • 17个浙江省
  • 1个江苏省
  • 1个辽宁省
19 条 记 录,以下是 1-10
张海鹏
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:沟道 SOI_LDMOS 氧化层 埋层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨宝
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题:MC LIGBT DRT SOI 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马里剑
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:测试技术 LDMOS TFT-LCD SOI_LDMOS SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯耀兰
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题:MOS器件 高温 硅 绝缘层上硅 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱晓军
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题:MC LIGBT DRT SOI 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余厉阳
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题:压电变压器 压电 手术器械 波形 压电换能器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫军
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:绝缘体上硅 大信号 散射参数 直流特性 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正璠
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题:EM CMOS TF 绝缘层上硅 温度模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛小燕
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:教学改革 氧化层 二极管 缓冲区 短路点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕韶义
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:数据挖掘 仿真 决策表 人工智能 仿真系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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