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国防科技重点实验室基金(51433040105DZ0102)

作品数：6 被引量：13H指数：2
相关作者：郝跃张进城杨燕张金凤王冲更多>>
相关机构：西安电子科技大学教育部更多>>
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相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>

领域

  • 13个电子电信
  • 11个理学
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  • 5个金属学及工艺
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主题

  • 11个氮化镓
  • 10个异质结
  • 8个导体
  • 8个电流崩塌
  • 8个电子迁移率
  • 8个淀积
  • 7个电子器件
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  • 5个单晶
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  • 4个氮化物
  • 4个氮化物半导体
  • 4个氮化物半导体...
  • 4个氮化镓薄膜
  • 4个氮化镓材料

机构

  • 13个西安电子科技...
  • 9个教育部
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  • 1个北京大学
  • 1个电子科技大学
  • 1个南京电子器件...
  • 1个长安大学
  • 1个上海交通大学
  • 1个浙江大学

资助

  • 13个国防科技重点...
  • 12个国家重点基础...
  • 10个国家自然科学...
  • 10个西安应用材料...
  • 8个国防科技技术...
  • 6个国家部委预研...
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传媒

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  • 12个物理学报
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  • 3个光子学报
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  • 3个材料研究学报
  • 3个人工晶体学报
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  • 2个微电子学与计...
  • 2个电力电子技术

地区

  • 12个陕西省
  • 1个江苏省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 GAN 解析模型 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 HEMT 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文博
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：压力机 永磁直线电动机 欧姆接触 次级 冲压力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马香柏
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流崩塌 ALGAN/GAN_HEMT GAN 场板 HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高志远
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 腐蚀坑 位错 英文 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金风
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金刚石 势垒层 氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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