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国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1620)

作品数:1 被引量:0H指数:0
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5 条 记 录,以下是 1-5
翁长羽
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS_MMIC 高线性 单刀双掷开关 大功率开关 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
铁宏安
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:半导体 金属氧化物 低噪声放大器 噪声系数 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏倩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:表面贴装封装 CMOS低噪声放大器 CDMA 半导体 高线性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微波单片集成电路 功率MMIC 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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