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国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1580)

作品数：5 被引量：2H指数：1
相关作者：钱鹤李俊峰杨荣韩郑生柴淑敏更多>>
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地区

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共 9 条 记 录，以下是 1-9
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱鹤
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：英文 SOI 刻蚀 自对准硅化物 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨荣
供职机构：西安交通大学
研究主题：PMOSFET 英文 床身 射频 无线传感器网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玉印
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 掩模 反应离子刻蚀 多晶硅栅 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴淑敏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：自对准硅化物 快速热退火 退火处理 溅射 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 英文 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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