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浙江省科技计划项目(2009C21G2040066)

作品数：4 被引量：9H指数：2
相关作者：张海鹏齐瑞生王德君张帆陈波更多>>
相关机构：杭州电子科技大学大连理工大学杭州汉安半导体有限公司更多>>
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地区

  • 6个浙江省
  • 1个辽宁省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
张海鹏
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS 氧化层 埋层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐瑞生
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 埋层 氧化层 阳极 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王德君
供职机构：大连理工大学
研究主题：SIC MOSFET器件 碳化硅 4H-SIC 电子回旋共振
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许生根
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 埋层 氧化层 NLDMOS SOI_LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张帆
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：可信计算 多智能体系统 多智能体 无干扰 存储介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏步春
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：场板 SOI_LDMOS 沟道 氧化层 二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 槽栅 氧化层 跨导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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