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国家重点基础研究发展计划(2011CBA00605)

作品数：4 被引量：4H指数：1
相关作者：尹海洲刘洪刚许静王盛凯张亚楼更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学中国科学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

领域

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主题

  • 19个迁移率
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  • 14个短沟道
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  • 8个单晶硅
  • 8个单片
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  • 8个低功耗

机构

  • 15个中国科学院微...
  • 7个桂林电子科技...
  • 2个电子科技大学
  • 1个复旦大学
  • 1个兰州大学
  • 1个清华大学
  • 1个教育部
  • 1个中国科学技术...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 19个国家重点基础...
  • 9个中国科学院“...
  • 8个国家自然科学...
  • 8个国家科技重大...
  • 7个广西壮族自治...
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传媒

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  • 9个物理学报
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地区

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  • 4个广西
共 19 条 记 录，以下是 1-10
尹海洲
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许静
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 隧道结 沟道 磁矩
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 键合 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
骆志炯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 堆叠 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋葳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体结构 沟槽隔离 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于伟泽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：MOS晶体管 载流子迁移率 侧墙 半导体结构 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁擎擎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 半导体 沟道 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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