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江苏省科技支撑计划项目(BE2012007)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:周建军孔岑陈堂胜倪金玉郁鑫鑫更多>>
相关机构:南京电子器件研究所东南大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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主题

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  • 8个电子迁移率
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  • 7个低噪
  • 7个低噪声
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  • 5个单片电路
  • 5个氮化
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 11个江苏省
11 条 记 录,以下是 1-10
倪金玉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯军
供职机构:东南大学
研究主题:CMOS CMOS工艺 光纤通信 复接器 2.5GB/S
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郁鑫鑫
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 GAN_HEMT器件 欧姆接触 刻蚀 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
管邦虎
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:击穿电压 4H-SIC SOI 比导通电阻 厚度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿习娇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:AL组分 ALGAN/GANHEMT ALGAN SI基 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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