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国家重点基础研究发展计划(51327020301)

作品数：7 被引量：10H指数：2
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领域

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主题

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  • 13个载流子
  • 13个特性分析
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  • 12个探测器
  • 12个迁移率
  • 11个氮化镓
  • 10个等离子体
  • 10个电流
  • 10个电路
  • 10个电子迁移率
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  • 8个等离子体损伤
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  • 8个电阻
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  • 6个氮化镓基材料
  • 6个电压

机构

  • 18个西安电子科技...
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  • 1个电子科技大学
  • 1个南京电子器件...
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  • 1个浙江大学
  • 1个中国科学院
  • 1个中国航天科技...

资助

  • 18个国家重点基础...
  • 15个国家自然科学...
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  • 8个国防科技重点...
  • 8个国家科技重大...
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传媒

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  • 3个科学通报
  • 3个红外与毫米波...
  • 3个材料研究学报
  • 2个量子电子学报

地区

  • 17个陕西省
  • 1个江苏省
共 18 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
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龚欣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高介电常数 金属膜 蒸发 GAN SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 HEMT 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周小伟
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN 蓝宝石衬底 多量子阱 干法刻蚀 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张春福
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：钙钛矿 SUB 击穿电压 电极 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯倩
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 场板 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林锡贵
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 共轭匹配 功率放大器设计 功率放大器 T矩阵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岳远征
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN AL2O3 高电子迁移率晶体管 原子层淀积 绝缘栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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