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国家自然科学基金(60376024)

作品数：21 被引量：40H指数：4
相关作者：郝跃马晓华朱志炜曹艳荣陈海峰更多>>
相关机构：西安电子科技大学四川大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

领域

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  • 20个理学
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主题

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  • 9个异质结
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  • 7个低功耗
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机构

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  • 1个北京大学
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  • 1个东莞理工学院
  • 1个电子科技大学
  • 1个空军电讯工程...
  • 1个江南大学
  • 1个长安大学
  • 1个上海交通大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个浙江大学
  • 1个中国科学院
  • 1个西南科技大学
  • 1个中国科学院微...

资助

  • 26个国家自然科学...
  • 21个国家高技术研...
  • 10个国防科技技术...
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  • 8个国家教育部博...
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  • 5个国防科技重点...
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传媒

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  • 3个红外与毫米波...
  • 3个光电工程
  • 3个计算物理
  • 3个微细加工技术

地区

  • 19个陕西省
  • 3个四川省
  • 2个江苏省
  • 1个北京市
  • 1个上海市
共 26 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 势垒
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朱志炜
供职机构：复旦大学
研究主题：金属半导体 多晶 静电放电 应力 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹艳荣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场板 淀积 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 HEMT器件 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈海峰
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：GIDL 英文 应力 GAN MOS器件
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刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 抗辐照 集成电路 栅氧化层 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周鹏举
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：经时击穿 TDDB 击穿 NMOS器件 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方建平
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电路 标签 超低压 RFID系统 测试数据压缩
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐瑜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：视频帧 MOS器件 等离子体损伤 基于3D 卷积和
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于磊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：静基座 动基座 导轨 转运 平移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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