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北京市自然科学基金(21002015200501)

作品数：3 被引量：4H指数：1
相关作者：王承栋冯士维杨集张弓长庄四祥更多>>
相关机构：北京工业大学罗格斯大学中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家留学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
王承栋
供职机构：北京工业大学
研究主题：欧姆接触 探测器 TI/AL/NI/AU N-GAN 光响应度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯士维
供职机构：北京工业大学
研究主题：热阻 半导体器件 结温 温升 电学法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨集
供职机构：中国科学院电子学研究所
研究主题：探测器 响应度 低轨道 光响应度 仿真
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张弓长
供职机构：北京工业大学
研究主题：欧姆接触 TI/AL/NI/AU N-GAN 接触电阻率 光响应度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庄四祥
供职机构：华为技术有限公司
研究主题：光响应度 响应度 探测器 PIN光电探测器 INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟海杰
供职机构：北京工业大学
研究主题：欧姆接触 功率VDMOS 可靠性 大电流密度 接触电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张跃宗
供职机构：深圳信息职业技术学院
研究主题：欧姆接触 载物台 接触电阻率 芯片 TI/AL/NI/AU
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏蓉
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题：集成电路 有限元分析 大电流密度 INGAAS/INP 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云霞
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题：功率VDMOS 可靠性 大电流密度 INGAAS/INP 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢毅成
供职机构：罗格斯大学
研究主题：波长 INP/INGAAS 光响应度 探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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