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国防科技技术预先研究基金(51308040301)

作品数：2 被引量：5H指数：1
相关作者：郝跃张进成张金凤郑鹏天段焕涛更多>>
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领域

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机构

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地区

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董作典
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 微电子 成核 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑鹏天
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 微电子 成核 双异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志明
供职机构：济南大学信息科学与工程学院
研究主题：MOCVD 温度场 氮化物 非极性 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王昊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOCVD 衬底 捕获性能 GAN 高阶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段焕涛
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 二维电子气 HEMTS ALGAN/GAN异质结 电学特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 HEMT 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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