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国家科技重大专项(2011ZX02708-003)

作品数：3 被引量：3H指数：1
相关作者：刘洪刚王盛凯许维常虎东赵威更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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  • 7个国家重点基础...
  • 5个国家自然科学...
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传媒

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  • 1个太阳能学报
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  • 1个微计算机应用
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  • 1个实验力学
  • 1个电子学报
  • 1个核技术
  • 1个光学学报

地区

  • 10个北京市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
刘洪刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 键合 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许维
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：键合 热压键合 点压 合法 晶圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王英辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：键合 压阻 压力传感器 晶圆 热压键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐杨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：键合 点压 热压键合 低温键合 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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