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重庆市自然科学基金(cstcjjA40008)

作品数:4 被引量:1H指数:1
相关作者:朱志雷剑梅胡盛东罗俊谭开洲更多>>
相关机构:重庆大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金中国博士后科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

领域

  • 6个电子电信
  • 6个电气工程
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  • 1个一般工业技术

主题

  • 6个电阻
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  • 5个导通电阻
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  • 3个电场分布
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  • 2个低抖动
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  • 2个低噪
  • 2个低噪声
  • 2个低噪声放大器
  • 2个电磁
  • 2个电磁辐射
  • 2个电磁性能

机构

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  • 3个电子科技大学
  • 3个中国电子科技...
  • 2个中国电子科技...
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  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国汽车工程...
  • 1个中国汽车工程...

资助

  • 6个中国博士后科...
  • 6个重庆市自然科...
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  • 2个国家教育部博...
  • 2个模拟集成电路...
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  • 1个江苏省“六大...
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  • 1个江苏省普通高...

传媒

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  • 2个物理学报
  • 2个微波学报
  • 2个环境技术
  • 2个第十七届全国...
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  • 1个电讯技术
  • 1个半导体技术
  • 1个Journa...
  • 1个仪器仪表学报
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  • 1个电路与系统学...
  • 1个电子测量与仪...

地区

  • 5个重庆市
6 条 记 录,以下是 1-6
雷剑梅
供职机构:中国汽车工程研究院股份有限公司
研究主题:整车 电磁仿真 测试装置 汽车 电磁兼容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡盛东
供职机构:重庆大学
研究主题:半导体功率器件 SOI 漂移区 高压器件 界面电荷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志
供职机构:重庆大学通信工程学院
研究主题:硅 SOI 高压器件 高压LDMOS 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金晶晶
供职机构:重庆大学
研究主题:半导体功率器件 SOI 击穿电压 LDMOS器件 高压器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗俊
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:可靠性 电磁性能 半导体器件 模拟集成电路 显微结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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