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国家高技术研究发展计划(2002AA311170)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:金鹏王占国叶小玲李凯李若园更多>>
相关机构:中国科学院北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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资助

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传媒

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地区

  • 7个北京市
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8 条 记 录,以下是 1-8
金鹏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 衬底 砷化铟 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭霞
供职机构:北京工业大学
研究主题:垂直腔面发射激光器 发光二极管 欧姆接触 欧姆接触电极 半导体光电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈敏
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
研究主题:垂直腔面发射激光器 GAAS/ALGAAS 温度特性 XGA 分布布拉格反射器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶小玲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 砷化镓 量子点激光器 GAAS INAS/GAAS量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李若园
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分布布拉格反射镜 分子束外延 砷化镓 砷化铝 垂直腔面发射激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李凯
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 砷化铟 衬底温度 盖层 纳米环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张春玲
供职机构:南开大学物理学院
研究主题:物理奥林匹克竞赛 量子点 物理实验 过饱和 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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