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国际科技合作与交流专项项目(2005DFA51050)

作品数：4 被引量：14H指数：2
相关作者：肖清华周旗钢高宇戴小林黄军辉更多>>
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领域

  • 8个电子电信
  • 4个理学
  • 3个金属学及工艺
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  • 2个一般工业技术
  • 1个经济管理
  • 1个动力工程及工...

主题

  • 7个半导体
  • 6个单晶
  • 6个硅单晶
  • 5个直拉硅
  • 5个直拉硅单晶
  • 5个抛光
  • 5个抛光技术
  • 5个硅半导体
  • 5个硅片
  • 5个非均匀
  • 5个非均匀性
  • 4个单晶硅
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  • 4个氧化诱生层错
  • 4个直拉单晶硅
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  • 4个热应力
  • 4个SI
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机构

  • 8个北京有色金属...
  • 2个有色金属研究...
  • 1个浙江大学

资助

  • 8个国际科技合作...
  • 4个国家科技重大...
  • 3个国家高技术研...
  • 2个国家自然科学...
  • 1个天津市自然科...
  • 1个北京有色金属...
  • 1个国际科技合作...
  • 1个国家重点实验...
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  • 1个河北省自然科...

传媒

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  • 5个半导体技术
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  • 2个微电子学
  • 2个第十一届全国...
  • 2个中国有色金属...
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  • 1个光谱学与光谱...
  • 1个光散射学报
  • 1个中国稀土学报
  • 1个电子显微学报

地区

  • 8个北京市
共 8 条 记 录，以下是 1-8
肖清华
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅片 离子注入 单晶硅 高温退火 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周旗钢
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅单晶 硅片 300MM硅片 单晶硅 直拉硅单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高宇
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅单晶 能耗 固液界面 热屏 数值模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴小林
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：直拉硅单晶 单晶炉 氧化诱生层错 硅单晶 挥发物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
库黎明
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅片 抛光 300MM硅片 平整度 硅片表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩海建
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：单晶硅 氧化诱生层错 掺氮 氮元素 直拉单晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄军辉
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：300MM硅片 DSP 非均匀性 SI 化学机械抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万关良
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅片 硅单晶 直拉硅单晶 电阻率 氧
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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