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国家高技术研究发展计划(2009AA03Z306)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:杨仕谦刘明龙世兵李德君王琴更多>>
相关机构:安徽大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学更多>>

领域

  • 11个电子电信
  • 11个自动化与计算...
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主题

  • 11个隧穿
  • 11个非挥发性存储...
  • 11个俘获
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  • 11个NVM
  • 11个存储器
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  • 9个闪存
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  • 7个氮化硅
  • 7个低功耗
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  • 6个电荷
  • 6个电极
  • 6个电平转换
  • 6个电平转换电路
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机构

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  • 1个北京大学
  • 1个北京科技大学
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  • 1个河北大学
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  • 1个中国科学院
  • 1个中国科学院微...

资助

  • 11个国家高技术研...
  • 11个国家重点基础...
  • 11个国家自然科学...
  • 11个国家科技重大...
  • 11个中国科学院重...
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  • 1个浙江省自然科...
  • 1个安徽高等学校...
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  • 1个安徽高校省级...

传媒

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  • 2个安徽大学学报...
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  • 2个功能材料
  • 2个计算机工程与...
  • 2个系统仿真学报
  • 2个光电工程

地区

  • 8个北京市
  • 3个安徽省
11 条 记 录,以下是 1-10
王永
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:纳米晶 存储器 硅纳米晶 非挥发性存储器 浮栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王琴
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 浮栅 纳米晶 俘获 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈军宁
供职机构:安徽大学
研究主题:反相器 灵敏放大器 电路 SRAM 裕度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨仕谦
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:俘获 非挥发性存储器 隧穿 浮栅 钨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨潇楠
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:纳米晶 非挥发性存储器 浮栅 硅衬底 编程方式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘璟
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 俘获 电路 电子设备 浮栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李德君
供职机构:安徽大学
研究主题:高K材料 NVM 俘获 非挥发性存储器 隧穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙世兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张满红
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 俘获 浮栅 纳米晶 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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