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国家自然科学基金(60676048)

作品数：13 被引量：29H指数：3
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领域

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资助

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地区

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共 17 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡仕刚
供职机构：湖南科技大学信息与电气工程学院
研究主题：教学 MOS器件 栅氧化层 CMOS MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏巍
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：采样 缓冲器 前端电路 电感 场板结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董作典
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 成核 ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈炽
供职机构：中国空间技术研究院
研究主题：氮化镓 功率附加效率 输出功率 电极 星载
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马腾
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：插入损耗 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 氮化镓 放大器 隔离度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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