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国家自然科学基金(60406007)

作品数:5 被引量:3H指数:1
相关作者:张国义徐科胡晓东潘尧波杨志坚更多>>
相关机构:北京大学江苏伯乐达光电科技有限公司更多>>
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领域

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地区

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18 条 记 录,以下是 1-10
潘尧波
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 出光效率 成核 MOCVD生长 激光剥离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章蓓
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 激光剥离 发光二极管 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐科
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物半导体材料 高性能 氮化镓基激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国义
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡成余
供职机构:北京大学
研究主题:欧姆接触 P-GAN 激光剥离 氮化镓 NI/AU
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨子文
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:P型GAN GAN 超晶格 AL XGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦杰
供职机构:北京大学
研究主题:氧化层 P型GAN 氮化镓 干法刻蚀 干法处理
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘鹏
供职机构:北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心
研究主题:氮化镓 数值模拟 发光二极管 数值模拟研究 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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