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国家科技重大专项(2010ZX02301-003)

作品数：4 被引量：9H指数：3
相关作者：马向阳杨德仁赵泽钢赵剑董鹏更多>>
相关机构：浙江大学浙江金瑞泓科技股份有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

领域

  • 9个电子电信
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  • 3个动力工程及工...
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  • 1个环境科学与工...
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 10个单晶
  • 10个单晶硅
  • 8个单晶硅片
  • 8个位错
  • 8个位错滑移
  • 8个硅片
  • 7个直拉硅
  • 7个N型
  • 7个硅
  • 6个直拉单晶硅
  • 6个掺硼
  • 6个掺杂
  • 5个点缺陷
  • 5个压痕
  • 5个氧化诱生层错
  • 5个应力
  • 5个应力释放
  • 5个放对
  • 3个大直径
  • 3个单晶生长

机构

  • 10个浙江大学
  • 1个浙江理工大学
  • 1个浙江正泰太阳...

资助

  • 10个国家自然科学...
  • 10个国家科技重大...
  • 5个浙江省自然科...
  • 3个国家重点基础...
  • 3个长江学者和创...
  • 2个国家高技术研...
  • 2个教育部“优秀...
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传媒

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  • 2个中国科学：技...
  • 2个中国科学：信...

地区

  • 10个浙江省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
马向阳
供职机构：浙江大学
研究主题：欧姆接触电极 直拉硅 直拉硅单晶 氧沉淀 电致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨德仁
供职机构：浙江大学
研究主题：太阳电池 硅 欧姆接触电极 硅片 直拉硅单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵剑
供职机构：浙江大学
研究主题：压痕 单晶硅片 位错滑移 放对 应力释放
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵泽钢
供职机构：浙江大学
研究主题：压痕 单晶硅片 位错滑移 放对 应力释放
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁兴勃
供职机构：浙江大学
研究主题：压痕 放对 单晶硅片 位错滑移 应力释放
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
易俊
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室
研究主题：硅 N型 电子迁移率 直拉单晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建江
供职机构：浙江大学
研究主题：高转速 高温作用 控温系统 传感器组 灭菌器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高超
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室
研究主题：机械性能 滑移 单晶硅片 单晶硅 位错滑移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈鹏
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室
研究主题：直拉单晶硅 光衰减 硅 N型 电子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董鹏
供职机构：浙江大学
研究主题：直拉硅 俘获截面 界面态密度 氧沉淀 硅外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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