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国家高技术研究发展计划(2001AA122032)

作品数：5 被引量：12H指数：2
相关作者：陈弘达毛陆虹王志功申荣铉高鹏更多>>
相关机构：中国科学院东南大学天津大学更多>>
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领域

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主题

  • 23个VCSEL
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  • 20个面发射
  • 20个面发射激光器
  • 20个激光器
  • 20个发射激光器
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机构

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资助

  • 24个国家高技术研...
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  • 8个国家重点基础...
  • 4个中国博士后科...
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传媒

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  • 5个中国激光
  • 5个光子学报
  • 5个兰州大学学报...

地区

  • 13个北京市
  • 8个江苏省
  • 3个天津市
共 24 条 记 录，以下是 1-10
陈弘达
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 电极 垂直腔面发射激光器 CMOS 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛陆虹
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 CMOS工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高鹏
供职机构：天津大学电气与自动化工程学院
研究主题：CMOS 轮毂电机 硅基 温度场 单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申荣铉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 VCSEL 并行光发射模块 10GBIT/S CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志功
供职机构：东南大学
研究主题：CMOS CMOS工艺 光纤通信 神经信号 压控振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙增辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 面发射激光器 CMOS CMOS工艺兼容 VCSEL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周毅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：并行光传输 垂直腔面发射激光器 VCSEL 甚短距离 并行光发射模块
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔增文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：CMOS 多项目晶圆 衬底 硅基 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 多量子阱 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐君
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光传输 VCSEL 并行光发射模块 甚短距离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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