国家科技重大专项(2009ZX02037)
- 作品数：13 被引量：42H指数：4
- 相关作者：李超波夏洋李勇滔杨威风汪明刚更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所昆明理工大学北京自动测试技术研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金中国科学院科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 等离子喷涂氧化钇涂层的组织结构被引量：3
- 2010年
- 利用大气等离子喷涂技术在铝基体上制备了氧化钇涂层,采用扫描电镜、X射线衍射仪和金相显微镜对涂层的组织结构进行分析。结果表明:利用等离子喷涂制备的氧化钇涂层没有裂纹,比较致密,其孔隙率为5.58%;涂层由立方相和单斜相组成,喷涂粉末的相结构影响涂层的物相,粉末中的单斜相促进等离子喷涂过程中立方→单斜相变过程。
- 刘邦武王文东罗小晨李超波夏洋
- 关键词：等离子喷涂氧化钇涂层
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 自等离子体浸没注入技术被提出以来,该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。近年来该技术被用于32 nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比,该技术注入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没...
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：超浅结
- 文献传递
- 半导体器件测试设备中的微弱电流测量模块设计被引量：5
- 2011年
- 在半导体测试中,需要测量μA～pA级的微弱电流,而且测量时检流计有多种可能的接入方式。为适应电流测量范围并实现接入方式的灵活性,设计了一种微弱电流检测模块,它基于低偏置电流的互阻放大器,由单片机实现A/D转换和自动量程选择,采用信号与电源分别隔离的方式实现可变的接入方式,并采取了多项措施提高精度、保护模块。该模块实现了10 pA的分辨能力和0.1%的量程内积分非线性,已经达到半导体测试设备中电流检测范围和精度的要求,并有望运用于光电测量、核电子测量等其他微弱电流检测领域。
- 赵章琰李勇滔夏洋李超波李力军李瑞麟
- 关键词：微弱电流自动量程
- 图形化蓝宝石衬底技术综述被引量：9
- 2012年
- 采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。
- 汪明刚杨威风胡冬冬李超波夏洋
- 关键词：发光二极管内量子效率GAN外延生长
- ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究被引量：1
- 2012年
- 阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹配器和控制方法可实现阻抗匹配。
- 孙小孟李勇滔夏洋李超波李英杰陈盛云赵章琰秦威
- 关键词：阻抗匹配网络ALDADS
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 2010年
- 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：感应耦合等离子体ENERGY离子密度二次离子质谱直流电压源
- 等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用被引量：1
- 2014年
- 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。
- 邹志超李超波罗军夏洋
- 关键词：等离子体浸没离子注入鞘层FINFET
- 黑硅制备及应用进展被引量：3
- 2011年
- 黑硅作为一种新型低反射率的硅材料,有良好的广谱吸收特性,在光电领域将有很好的应用前景。概括地介绍了黑硅的各种制备方法(飞秒激光扫描、化学腐蚀法和等离子体处理),以及黑硅在太阳能电池、光电二极管、场发射、太赫兹发射等领域的应用。
- 沈泽南刘邦武夏洋刘杰李超波陈波
- 关键词：飞秒激光化学腐蚀等离子体处理太阳能电池
- 原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展
- 2013年
- 随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。
- 张阳张祥卢维尔李超波夏洋
- 关键词：ZNO薄膜
- 霍尔器件参数测试系统
- 2011年
- 提出了一种基于微控制器的霍尔器件参数测试系统设计方案。描述了总体设计方案,并详细介绍了硬件部分的可调电压源和数据采集部分。给出了系统软件设计思想及部分参数的测试结果。该霍尔器件参数测试系统可以快速准确地测量霍尔器件的各项电参数和磁参数,并且具有测试和筛选功能,操作界面友好,使用方便。
- 张艳清李勇滔夏洋李超波张东
- 关键词：测试系统微控制器
