国家科技重大专项(2008ZX02104-001)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 相关作者：路新春何永勇赵建伟王同庆赵德文更多>>
- 相关机构：清华大学西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自然科学总论金属学及工艺机械工程更多>>
- 化学机械抛光设备负载特性与主体结构变形被引量：1
- 2014年
- 化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)材料去除及负载特性主要受界面摩擦影响。对旋转型CMP系统进行了运动学和动力学分析,由此建立了CMP设备抛光界面摩擦负载(包括摩擦力矩和摩擦径向力)表达式。系统研究了CMP设备抛光头&抛光盘主体结构负载特性随运动参数的变化规律,发现抛光头/盘转速比对负载影响最为明显:随转速比的增加,抛光头所受摩擦力矩增加,抛光盘所受摩擦力矩减小;且对抛光头而言存在值为1的临界转速比,当转速比小于1时,摩擦力矩对抛光头为驱动力矩;实际工况下转速比接近1时,抛光头所受摩擦力矩几乎为零,因相对运动而产生的摩擦负载主要由抛光盘承载。在此基础上,采用商用有限元分析软件建立了抛光盘及转子有限元模型,分析了抛光盘在螺钉预紧力、偏心轴向力和摩擦力矩复合载荷作用下的变形特性,为CMP装备设计提供了依据。
- 赵德文路新春何永勇王同庆
- 关键词：化学机械抛光动力学摩擦力矩有限元
- 化学机械抛光传输机器人晶圆抓取自适应控制方法
- 2012年
- 针对化学机械抛光装备中晶圆位置变化时传输机器人无法有效进行抓取的问题,提出了一种化学机械抛光传输机器人晶圆抓取自适应控制方法.机械手在对化学机械抛光设备工位上晶圆进行抓取时,使用先进的红外传感器测量晶圆位置和偏差,并进行实时位置补偿,从而实现机械手对工位上晶圆抓取的自适应能力,提高了化学机械抛光装备效率和可靠性.仿真实验验证了系统的有效性.
- 赵建伟路新春何永勇
- 关键词：化学机械抛光自适应晶圆补偿控制
- 化学机械抛光传输机器人模型及LQ控制
- 2012年
- 针对具有七自由度化学机械抛光传输机器人(CMPTR),运用拉格朗日方程和牛顿力学相结合的方法,建立非线性系统CMPTR的动力学模型.对模型进行泰勒级数展开,并线性化得CMPTR状态空间方程,便于使用LQ最优控制对其进行控制.其中性能指标是由各状态量的累积运动误差与控制量的代数和构成,通过寻找一条最优控制律使其最小,从而使CMPTR的精度和控制能量消耗都取得满意效果.仿真实验验证了系统的稳定性,也验证了系统建模和LQ控制器设计的合理性和有效性.
- 赵建伟路新春何永勇
- 关键词：化学机械抛光动力学建模线性二次型最优控制
- 铜化学机械抛光材料去除机理的准连续介质法研究
- 2011年
- 采用准连续介质力学方法研究了铜化学机械抛光过程的机械作用材料去除机理.模拟了不同大小磨粒在单晶铜工件上的磨削过程,分析了切削过程中工件内部材料变形、切屑的形成以及工件内部应力分布和切削力变化.研究结果表明,工件内部材料沿着与切削方向约45°变形形成剪切带,在剪切带区域伴随有位错、滑移等现象产生.磨粒较小时加工后的表面质量较差,磨粒较大时加工质量较好,但会造成工件内部较大的塑性变形与更深的残余应力分布.磨粒尺寸变化对于切向切削力影响不大.
- 朱爱斌路新春张浩陈渭谢友柏
- 关键词：化学机械抛光单晶铜残余应力
