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福建省教育厅资助项目(JA11158)

作品数：3 被引量：2H指数：1
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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电容
  • 2篇氧空位
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子处理
  • 1篇电容值
  • 1篇电学
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇绝缘强度
  • 1篇溅射
  • 1篇薄膜电容
  • 1篇MIM
  • 1篇叉指电极

机构

  • 3篇集美大学
  • 2篇浙江大学

作者

  • 3篇徐文彬
  • 2篇任高潮

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇集美大学学报...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种基于叉指电极结构的新型三维电容被引量：1
2013年
针对电容发展所面临的电容密度、绝缘强度和高频特性等方面问题,利用兼具横向、纵向电通量的叉指电极结构提出一种新型三维电容。电容测试及分析结果表明采用该设计结构能将电容最高击穿电压增大到40V,最高工作频率提升到10 GHz以上,电容值可调范围比平面电容扩大了2～3倍,有助于解决电容发展中面临的相关问题。
徐文彬
关键词：叉指电极绝缘强度电容值
氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响被引量：2
2013年
研究了磁控溅射法制备得到的MIM结构ZrSiO薄膜电容,ZrSiO薄膜的制备以沉积时和沉积后退火过程中的氧气流量为主要工艺参数,重点讨论了由不同工艺条件导致的不同氧空位密度对漏电特性和电容-电压非线性等电学性能的影响.
徐文彬任高潮
关键词：氧空位
氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响
2017年
探讨了氧气等离子处理法对基于Zr Al O薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化。Zr Al O薄膜用射频磁控溅射法制得,之后在不改变真空条件的情况下进行Zr Al O薄膜的氧气等离子处理。氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素,通过改变氧气流量和等离子功率等处理条件可以影响氧空位的分布状态。通过分析受氧空位影响的电容电学性能,最终确定的等离子处理工艺可以使薄膜漏电流降低三个数量级以上,同时非线性电压系数减小约60%。
徐文彬任高潮
关键词：氧空位等离子溅射漏电流
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