武器装备预研基金(51408061104DZ01)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- p^+多晶Si_(1-x)Ge_x功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究
- 2008年
- 为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215V和VTn=0.205V。为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据。
- 舒斌张鹤鸣王伟宣荣喜宋建军任冬玲吴铁峰张永杰
- 关键词：功函数
- 双应变SiGe/Si异质结CMOS的设计及其电学特性的Medici模拟(英文)被引量：1
- 2008年
- 本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析。模拟结果表明,相对于体SiCMOS器件,该器件具有更好的电学特性,正确的逻辑功能,且具有更短的延迟时间,同时,采用垂直层叠的结构此类器件还可节省约50%的版图面积,有利于电路的进一步集成。
- 舒斌张鹤鸣马晓华宣荣喜
- 关键词：异质结应变硅
- 基于智能剥离技术的SOI材料制备被引量：1
- 2007年
- 优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5nm,缺陷密度为90cm-2,键合强度达到153.7kg/cm2,形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层,避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响,还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料.
- 舒斌张鹤鸣朱国良樊敏宣荣喜
- 关键词：绝缘体上硅SOI
- SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型
- 2007年
- 为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5V时,漏电流出现较强的负微分电阻效应,与文献报道结果符合.
- 舒斌张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英
- 关键词：SIGE/SI异质结隧道效应
- 溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MISFET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaNMIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.
- 舒斌张鹤鸣王青黄大鹏宣荣喜
- 关键词：溶胶-凝胶
