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影响方形非球面光学元件加工精度的工艺研究被引量：3: 2012年; 分析了方形非球面光学元件磨削加工中产生四角塌边误差的原因,计算了方形非球面光学元件磨削加工时砂轮轴系两种安装方式的磨削系统刚度,讨论了砂轮轴系安装的位置对加工精度的影响,进行了砂轮轴系两种安装方式的方形光学元件磨削试验,以及不同砂轮型号、工艺参数的磨削试验,确定了能够满足方形非球面光学元件加工精度的砂轮轴系安装位置结构及磨削工艺参数。; 吴庆堂聂凤明王大森史国权吴焕李珊郭波; 关键词：光学制造

ICP刻蚀Si/PMMA选择比工艺研究被引量：2: 2014年; 为了将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上的图案等比例的转移到硅基材料上,对基于感应耦合等离子体技术(Inductively Coupled Plasma,ICP)的Si和PMMA的刻蚀速率进行了研究。结合英国牛津仪器公司的ICP180刻蚀系统,以SF6和O2混合气体为反应气体,研究了在其他参数相同的情况下,不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响,得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线,并得出了对于Si和PMMA刻蚀速率相同时的气体比例。实验发现,如果增加反应气体中SF6的比重,会加快Si的刻蚀速率而降低PMMA的刻蚀速率,反之,若降低SF6的比重而增加O2的比重,则会相应降低Si的刻蚀速率而增加PMMA的刻蚀速率。据此,通过调节反应气体的比例,实现对Si和PMMA的同速率去除。; 虎将蔡长龙刘卫国巩燕龙; 关键词：等离子体刻蚀 SI

不同离子束参数诱导单晶硅纳米微结构与光学性能被引量：6: 2013年; 使用微波回旋共振离子源，研究了低能Ar＋离子束正入射时不同离子柬能量和束流密度对单晶硅（100）表面的刻蚀效果及光学性能。结果表明，当离子柬能量为1000eV，束流密度为88-310μA／cm2时，样品表面出现自组装纳米点状结构，且随着离子柬流密度增加排列紧密而有序；粗糙度呈现先减小后迅速增大的趋势，在160~A／cm2附近达到极小值；刻蚀后，近红外波段内平均透过率由53％提高到57％以上，且随着纳米自组装结构有序性的提高而增大。当束流密度为270μA／cm2，能量为500～l500eV时。样品表面出现纳米点状结构，且随着离子束能量的增加趋于密集有序；粗糙度呈现先缓慢增加，在l100ev附近达到极大值，之后粗糙度迅速下降；刻蚀后样品透过率明显提高，且平均透过率随着点状结构有序性的提高而增大；刻蚀速率与离子束能量的平方成正比。自组织纳米结构的转变是溅射粗糙化和表面驰豫机制相互作用的结果。; 陈智利刘卫国; 关键词：表面形貌

低能离子束诱导Ag表面纳米金字塔微结构被引量：3: 2014年; 利用离子柬溅射诱导实验方法，在单晶Si（100）基底上辅助沉积银膜，研究了低能Ar＋离子束30。入射时，不同离子束能量和束流密度以及基底温度对Ag纳米结构的影响．结果表明：在较低基底温度下（32～100℃）辅助沉积银膜，膜层表面会呈现排列紧密、晶粒尺寸一致的金字塔状纳米结构．当温度升高时（32～200℃），纳米微结构横向尺寸λ2迅速增加，而粗糙度先减小（32～100℃）后迅速增大（100～200℃）；当离子束能量1400eV、束流密度15～45uA／cm2时，在相同温度下，随着离子束束流密度的增大，纳米晶粒横向尺寸基本不变，粗糙度略有增加；当离子柬流密度为15μA／cm2、能量1000～1800eV时，在相同温度下，随着离子束能量的增加，银纳米结构尺寸增加，而表面粗糙度先增加，然后缓慢减小．自组织纳米结构的转变是溅射粗糙化和表面驰豫机制相互作用的结果．; 陈智利刘卫国张锦王蒙皎; 关键词：离子束辅助

四栅网式离子能量分析仪栅网特性研究被引量：2: 2013年; 为了研究等离子体中离子能量的分布规律,基于栅网式离子能量测试原理,采用离子光学模拟软件Simion7.0,对四栅网离子能量分析仪中网格大小和网格间距对离子能量测量结果的影响进行了理论分析。分析结果表明,当离子能量为800 eV左右时,网格尺寸的大小会影响离子能量的测量精度,网格间距的大小对离子能量的测量结果几乎不产生影响。该研究结果对栅网式离子能量测试装置的设计及网格参数的优化具有重要的理论和实践指导意义。; 潘永强王飞飞杭凌侠弥谦; 关键词：离子能量

改装超精密磨床的超精密车削试验研究被引量：3: 2013年; 对自主研制的T形结构超精密磨床进行改装,在超精密磨床的转台上安装单点金刚石圆弧车刀,进行了超精密车削试验研究。对超精密磨床和车床的结构、精度、刚度进行了分析和比较,确定在超精密磨床的基础上可以进行超精密车床的改造;通过调整静压导轨和刀具静压回转台的供油压力实现超精密车削刀具与工件回转中心高度的精确调整,可有效地实现工件回转中心区域的加工;利用刀具回转台的精密摆动实现刀具切削过程中切削刃位置的微调,为超精密车削提供可能。采用上述方法进行铝合金和无氧铜工件端面不同速度和不同进给量下的超精密车削试验,获得了表面粗糙度为10.8nm的超精密平面。; 吴庆堂聂凤明史国权吴焕李珊郭波; 关键词：超精密车削静压导轨静压轴承

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国防基础科研计划(A0920110016)