国家自然科学基金(10676008)
- 作品数：42 被引量：143H指数：7
- 相关作者：刘玉岭牛新环刘效岩张伟檀柏梅更多>>
- 相关机构：河北工业大学天津理工大学石家庄经济学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金河北省教育厅科学技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析被引量：1
- 2010年
- 利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验。针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析。试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min。
- 项霞刘玉岭刘金玉穆会来
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液抛光速率正交试验
- 碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究被引量：1
- 2010年
- 在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用。总结实验结果后,得出了上述两个参数在两步抛光方法中的影响规律,提出粗抛光中,应该采用较高氧化剂添加量和抛光压力以得到较高的去除速率和一定的表面质量;精抛光中,应该采用低氧化剂含量、低抛光压力以得到较完美的表面质量。用此方法抛光,较好地解决了当前硬盘基板加工中抛光速率与表面质量之间的矛盾。
- 孙业林刘玉岭刘效岩魏恒谢竹石
- 关键词：去除速率粗糙度氧化剂
- SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响被引量：8
- 2010年
- 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。
- 孙增标刘玉岭刘效岩闫宝华张研
- 关键词：化学机械抛光去除速率
- Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究被引量：2
- 2010年
- 化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-Al合金表面状态的影响。结果表明,当pH值为11.20,压力为0.06MPa,流量200mL/min,转速60r/min,用Olympus显微镜观察Mg-Al合金表面状态良好。这一结果为进一步采用化学机械抛光法加工Mg-Al合金奠定了基础。
- 张研刘玉岭牛新环梁蒲肖文明阎宝华
- 关键词：镁铝合金化学机械抛光
- 蓝宝石衬底化学机械抛光的机理研究
- 利用磨料为 SiO的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称 CMP)的机理进行了深入的研究,指出了蓝宝石 CMP 的主要的动力学过程,并详细分析了影响各动力学过程的诸要素．结果表明...
- 牛新环刘玉岭檀柏梅马振国
- 关键词：化学机械抛光蓝宝石衬底去除速率动力学过程
- 文献传递
- 温度对GaN生长用蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率的影响(英文)
- 化学机械抛光技术可用于生产高质量的加工表面。在蓝宝石衬底CMP过程中高的抛光速率及好的表面质量是最终的目标。在抛光液及抛光参数不变的条件下对(0001)蓝宝石村底的去除速率与抛光温度之间的关系进行了研究。采用抛光碱性介质...
- 牛新环宗思邈檀柏梅刘玉岭
- 关键词：蓝宝石衬底抛光液去除速率
- 文献传递
- LCD表面液晶污染的非接触检测新算法被引量：1
- 2009年
- 针对液晶器件的特点,对其表面残留液晶的非接触式检测技术进行了研究,提出了基于迭代阈值分割和数学形态学的边缘检测方法,可以从目标区域中判断出液晶残留形貌与边缘。首先将原图按坐标分成若干子图像,再对子图像进行迭代阈值分割,然后采用不同尺度的结构元素来检测图像边缘,再进行加权合成来获得边缘图像,并从理论上分析了噪声对边缘提取的影响情况。实验表明,该方法很好地抑制了噪声和保持图像边缘细节,并且能够提取出精确且封闭的残留液晶的边缘轮廓,为下一步缺陷特征量的提取与选择奠定了基础。
- 黄妍妍姜乐涛于明张凤全
- 关键词：LCD迭代法边缘检测多尺度形态学
- W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
- 2010年
- 简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率。
- 边征王胜利刘玉岭肖文明
- 关键词：化学机械抛光田口方法去除速率
- 多层Cu布线化学机械抛光后颗粒的去除问题被引量：5
- 2010年
- 针对多层Cu布线化学机械抛光后去除表面吸附颗粒时难以解决的氧化腐蚀问题,分析了颗粒在抛光后Cu表面上存在的两种吸附状态即物理吸附和化学吸附。采用在清洗剂中加入非离子表面活性剂的方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态;为解决由于Cu在停止化学机械抛光后,具有高能的新加工表面被残留抛光液继续氧化和腐蚀,影响清洗效果的问题,采用在清洗剂中添加防蚀剂BTA的方法在Cu表面形成Cu-BTA单分子致密膜,有效控制了表面氧化和腐蚀。利用光学显微镜对采用不同清洗剂清洗过的Cu表面进行观察分析,发现在清洗剂中添加表面活性剂和防蚀剂BTA,不仅有效去除了表面沾污的颗粒,又保证了清洗后表面的完美与平整。
- 武彩霞刘玉岭牛新环康海燕苏艳勤
- 关键词：化学机械抛光非离子表面活性剂清洗剂
- 计算机硬盘NiP基板CMP机理及技术研究被引量：1
- 2008年
- 目前,大多数计算机硬盘采用镍磷敷镀的铝合金作为磁盘盘片,并采用化学机械抛光(CMP)技术作为盘片最终的精抛光。通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,指出在整个反应过程中,化学反应速率是慢过程,它决定了最终的CMP速率,如何使络合反应迅速向右进行将成为CMP的关键。通过分析浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键。通过分析氧化剂、pH值、活性剂及螯合剂的影响作用,研制了新型碱性浆料,其中磨料为硬度较小粒径40 nm的SiO2水溶胶,氧化剂为H2O2,FA/O活性剂与螯合剂,并首次选用有机碱作为pH值调节剂。利用配制的抛光液通过CMP实验确定氧化剂含量为15 ml/L,pH值为11,磨料浓度为20%时,获得的速率可达550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm。
- 田军刘玉岭檀柏梅牛新环唐文栋
- 关键词：硬盘基板化学机械抛光浆料去除速率粗糙度
