国防科技重点实验室基金(51433040105DZ0102)
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 相关作者：郝跃张进城杨燕张金凤王冲更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学教育部更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触被引量：3
- 2006年
- 通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3·30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.
- 杨燕王文博郝跃
- 关键词：ALGAN/GANTI/AL/NI/AU欧姆接触高电子迁移率晶体管
- 用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑(英文)被引量：1
- 2007年
- 用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.
- 高志远郝跃张进城张金凤陈海峰倪金玉
- 关键词：位错GAN
- AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究
- 2006年
- 采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s40V高场应力后,蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT饱和漏电流下降5·2%,跨导下降7·6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.
- 王冲张进城郝跃杨燕
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管热电子电子陷阱
- 变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性被引量：2
- 2006年
- 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25-200℃之间的变化，分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律，得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成，沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论，同时，证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因。
- 王冲张金风杨燕郝跃冯倩张进城
- 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气传输线模型泄漏电流
- AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型被引量：7
- 2006年
- 通过对AlGaN/GaNHEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaNHEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.
- 郝跃韩新伟张进城张金凤
- 关键词：ALGAN/GANHEMT电流崩塌
- 微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展
- 2006年
- 文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。
- 马香柏郝跃张进城
- 关键词：ALGAN/GAN微波功率
