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国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1620)
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张斌
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铁宏安
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2008
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2.1GHz CMOS低噪声放大器
2008年
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
铁宏安
李拂晓
李向阳
冯晓辉
姚祥
魏倩
张斌
翁长羽
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低噪声放大器
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