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国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1620)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:张斌魏倩翁长羽铁宏安李拂晓更多>>
相关机构:南京电子器件研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇氧化物
  • 1篇噪声系数
  • 1篇射频
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇放大器
  • 1篇半导体
  • 1篇CMOS低噪...

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇李拂晓
  • 1篇铁宏安
  • 1篇翁长羽
  • 1篇魏倩
  • 1篇张斌

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
2.1GHz CMOS低噪声放大器
2008年
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽
关键词:射频低噪声放大器噪声系数
共1页<1>
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