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浙江省科技计划项目(2009C21G2040066)

作品数：4 被引量：9H指数：2
相关作者：张海鹏齐瑞生王德君张帆陈波更多>>
相关机构：杭州电子科技大学大连理工大学杭州汉安半导体有限公司更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇SOI
  • 1篇读写
  • 1篇读写器
  • 1篇射频
  • 1篇射频识别
  • 1篇射频收发
  • 1篇射频收发器
  • 1篇收发
  • 1篇收发器
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇碳化硅
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇网络
  • 1篇无线传感
  • 1篇无线传感器
  • 1篇无线传感器网
  • 1篇无线传感器网...

机构

  • 4篇杭州电子科技...
  • 2篇大连理工大学
  • 2篇杭州汉安半导...

作者

  • 4篇张海鹏
  • 2篇齐瑞生
  • 2篇王德君
  • 1篇苏步春
  • 1篇许生根
  • 1篇张帆
  • 1篇陈波

传媒

  • 1篇科技通报
  • 1篇电讯技术
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种电子货架标签系统(ESLS)的设计被引量：6
2010年
针对目前商业领域纸质标签的信息更新滞后、手工更换效率低、易出错等缺点,采用自顶向下设计方法设计了一种基于有源远距离RFID技术的电子货架标签系统。该设计集计算机控制、远程收发、微功耗设计特性为一体,辅以完善的应用系统设计。该系统业务管理方便,信号覆盖范围可扩展,标签显示模块的电池寿命可达3～5年,具有普遍应用意义和广泛应用前景。
张帆张海鹏
关键词：无线传感器网络射频识别射频收发器读写器
双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究被引量：1
2011年
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMOS器件不仅具有较好的电学性能,而且可以采用SOI CMOS工艺制造。
许生根张海鹏齐瑞生陈波
关键词：SOILDMOS电学特性
4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真被引量：2
2011年
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。
张海鹏齐瑞生王德君王勇
关键词：碳化硅功率器件电学特性
SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
2011年
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。
苏步春张海鹏王德君
关键词：绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管闩锁效应
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