北京市自然科学基金(21002015200501)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：北京工业大学罗格斯大学中国科学院电子学研究所更多>>
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- InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究被引量：4
- 2007年
- 对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好。利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数。
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- 关键词：探测器光响应度
- 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
- 2007年
- 分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示，器件的光谱响应范围为1000-1600nm，在1500nm激光的辐照下，5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。
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- 关键词：探测器光响应度
- 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
- 分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了 InGaAs/InP PIN 探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和 p-InP 区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用 MOCVD 技术和闭管扩散等工...
- 王承栋杨集冯士维张跃宗庄四祥张弓长
- 关键词：探测器光响应度
- 文献传递
- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考。
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- 关键词：探测器光响应度INGAAS/INP结深
