中国人民解放军总装备部预研基金(51323060305)
- 作品数：3 被引量：23H指数：3
- 相关作者：何小琦陆裕东恩云飞王歆庄志强更多>>
- 相关机构：信息产业部电子第五研究所华南理工大学更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- P对Au／Ni／Cu焊盘与SnAgCu焊点焊接界面可靠性的影响被引量：9
- 2009年
- 采用回流焊工艺在ENIG镀层印制电路板上组装289I/Os无铅Sn-3.0Ag-0.5Cu球栅阵列封装器件,对封装后的电路板进行随机振动可靠性试验,采用X-Ray、SEM和EDX等测试确定焊点在随机振动试验过程中的失效机制,探讨焊点沿界面失效与镀层内P元素的分布和含量的关系。在振动试验中失效和未失效的BGA焊点与镀层界面表现出类似的微观形貌,Ni层因被氧化腐蚀而在焊点截面形貌上出现"缺齿"痕迹,而在表面形貌图上此呈现黑色的氧化腐蚀裂纹。P在镀层表面的聚集对Ni的氧化腐蚀有促进作用,同时P的聚集也明显降低焊点结合界面的机械强度。Ni层的氧化和Ni层表面P元素的聚集是引发焊点沿焊点/镀层结合界面开裂的主要原因。
- 陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强
- 关键词：镀层回流焊工艺SNAGCU
- Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移被引量：8
- 2009年
- 采用104A/cm2数量级的电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移机理作了研究.电迁移引起的原子(或空位)的迁移以及在此过程中形成的焦耳热,使Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点的显微形貌发生变化.电迁移作用下,由于空位的定向迁移和局部的电流聚集效应使阴极芯片端焊料与金属间化合物界面形成薄层状空洞.处于阴极的Cu焊盘的Ni(P)镀层与焊料间也产生了连续性空洞,但空洞面积明显小于处于阴极的芯片端焊料与金属间化合物界面.焊盘中的Cu原子在电迁移作用下形成与电子流方向一致的通量,最终导致焊点高电流密度区域出现连续性的金属间化合物且金属间化合物量由阴极向阳极逐渐增多.
- 陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强
- 关键词：倒装焊点电迁移
- Ni/Au镀层与SnPb焊点界面电迁移的极性效应被引量：7
- 2010年
- 采用Ni(P)/Au镀层-SnPb焊点-Ni(P)/Au镀层的互连结构,研究电迁移作用下焊点/镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长特性,从电位差和化学位梯度条件下原子定向扩散的角度分析互连结构的微结构变化的微观机制。在无外加应力条件下,由于液态反应速率远远快于固态反应速率,Ni(P)/Au镀层与焊点界面IMC经过120℃、100h的热处理后无明显变化。但是,在电迁移作用下,由于Sn沿电子流方向的定向扩散使阳极界面IMC异常生长,而阴极界面IMC厚度基本不变。由于电子由上层Cu布线进入焊点的电子注入口位于三相结合界面位置,在焦耳热的作用下会导致焊料的局部熔融,引起Cu布线与焊料的反应,使电子注入口的Cu布线合金化。
- 陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强
- 关键词：NI/AU焊点电迁移金属间化合物
