国家科技重大专项(2011ZX02708-003)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：刘洪刚王盛凯许维常虎东赵威更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究被引量：1
- 2012年
- 从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET相比,Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm^2/V.s^(-1),是In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.
- 常虎东孙兵卢力赵威王盛凯王文新刘洪刚
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管INGAASAL2O3
- 基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究被引量：2
- 2017年
- 利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于得到气泡和空洞数目较少的键合界面,从而有效提升晶圆键合的质量。
- 许维王盛凯刘洪刚
- 表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究
- 2016年
- 着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中,并和传统的金金热压键合法进行了比较。实验表明,采用点压键合法能够有效抑制晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响。
- 许维王盛凯徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚
- 关键词：热压键合表面粗糙度
