上海市自然科学基金(05ZR14017)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：机械工程理学更多>>
- Electrical Properties Study of Ni(Pt)-silicide/Si Contacts
- The electrical propertie of Ni(Pt)-silicide/Si contact is studied and it is revealed that the Schottky barrier...
- Yifei HuangYu-Long JiangGuo-Ping RuFang LuQijia CaiShihai CaoBing-Zong Li
- NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究(英文)被引量：1
- 2006年
- 采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP)完成硅化反应.X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi.还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi/Si界面的影响.研究表明使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺,在未掺杂和掺As的硅衬底上,NiSi/Si界面较粗糙;而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi/Si界面要比一步RTP的平坦得多.高分辨率XTEM分析表明,在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的(111)面对准生长.同时讨论了轴延中的晶面失配问题.
- 蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
- 关键词：NISI镍硅化物固相反应
- 掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响(英文)
- 2007年
- 利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775 MPa和1·31GPa ,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜) .应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.
- 黄巍茹国平Detavernier CVan Meirhaeghe R L蒋玉龙屈新萍李炳宗
