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国家高技术研究发展计划(2002AA311170)
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
相关作者:
金鹏
王占国
叶小玲
李凯
李若园
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Al_xGa_(1-x)As/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化(英文)
被引量:1
2005年
对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.
李若园
王占国
徐波
金鹏
张春玲
郭霞
陈敏
关键词:
垂直腔面发射激光器
分布布拉格反射器
GaAs基上的InAs量子环制备
被引量:2
2006年
在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成。
李凯
叶小玲
金鹏
王占国
关键词:
分子束外延
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