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国家自然科学基金(69806007)

作品数:16 被引量:57H指数:5
相关作者:刘理天任天令李志坚张林涛张武全更多>>
相关机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 16篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇铁电
  • 7篇PZT
  • 6篇铁电薄膜
  • 6篇硅基
  • 5篇溶胶
  • 4篇溶胶-凝胶法
  • 4篇硅基PZT
  • 4篇SOL-GE...
  • 3篇电性能
  • 3篇电性能研究
  • 3篇钛酸铅
  • 3篇PT
  • 2篇扬声器
  • 2篇锆钛酸铅
  • 2篇微麦克风
  • 2篇麦克风
  • 2篇刻蚀
  • 2篇FILTER...
  • 1篇电容
  • 1篇电容式

机构

  • 14篇清华大学

作者

  • 14篇任天令
  • 14篇刘理天
  • 12篇李志坚
  • 10篇张林涛
  • 3篇张武全
  • 2篇赵宏锦
  • 2篇刘燕翔
  • 2篇刘建设
  • 1篇邵天奇
  • 1篇朱静
  • 1篇王小宁
  • 1篇丛鹏
  • 1篇赵洋
  • 1篇李春晓
  • 1篇张琪

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 2篇电子器件
  • 2篇Tsingh...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇电子科技导报

年份

  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 7篇2000
  • 1篇1999
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Sol-Gel法硅基铁电薄膜研究被引量:1
2000年
介绍了用溶胶 凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。
张林涛任天令张武全刘理天李志坚
关键词:溶胶-凝胶法锆钛酸铅
硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究被引量:10
2001年
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备了硅基Pb(Zr_0.53Ti_0.47)0_3(PZT铁电薄膜。分析了PZT铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有PT过渡层的PZT铁电薄膜的工艺流程。测试了低温制备的PZT铁电薄膜的C-V、漏电等电性能,发现在Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的工艺中加入PT过渡层,有助于提高PZT薄膜的品质。
张林涛任天令张武全刘理天李志坚
关键词:SOL-GEL法PZTPT铁电薄膜
铁电-硅集成微麦克风和扬声器的理论设计
2000年
在现有 Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜的制备工艺基础上,提出并设计了可集成在同一芯片上的基于PZT铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构,对其灵敏度和声输出进行了理论计算。比较了基于 PZT和 ZnO两种材料的微麦克风和扬声器的性能差异。
任天令张林涛刘理天李志坚
关键词:微麦克风铁电薄膜
硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量:11
2001年
采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题 ,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。
赵宏锦刘建设任天令刘燕翔刘理天李志坚
关键词:锆钛酸铅刻蚀工艺PZT薄膜硅基
硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究被引量:3
2000年
在已有的以无机锆盐为原料 ,用 Sol- Gel方法制备硅基 Pb(Zr0 .5 3 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜的工艺基础上 ,成功地制备出 Pb Ti O3 / Pb(Zr0 .5 3 Ti0 .47O3 / Pb Ti O3 (PT/ PZT/ PT)夹心式新结构。由于采用了这种夹心式结构 ,使得 PZT铁电薄膜的退火温度由原来的 90 0℃降到了 70 0℃。通过实验检验了新结构的铁电和介电性能。发现夹心结构有助于提高 PZT薄膜的品质。
任天令张林涛刘理天李志坚
关键词:PZTPT硅基半导体
应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究被引量:4
2002年
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。
王小宁刘建设任天令赵宏锦邵天奇刘理天
关键词:DRAMBST薄膜溶胶-凝胶法刻蚀动态随机存取存储器钛酸锶钡
微麦克风的研究及展望被引量:2
1999年
对微麦克风的发展过程及研究现状进行了评述,重点介绍了电容式、电压式、铁电式三种微麦克风的研究现状及发展前景。
赵洋任天令刘理天李志坚
关键词:微麦克风电容式压电式
Sol-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究被引量:2
2001年
介绍了以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶-凝胶(sol-gel)方法在硅衬底上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析,结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙钛矿结构。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。
张林涛任天令张武全刘理天李志坚
关键词:SOL-GEL法PZT铁电薄膜
硅基铁电薄膜的电性能研究被引量:6
2001年
以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 。
任天令张林涛刘理天李志坚
关键词:钛酸铅溶胶-凝胶法
一种新型集成微麦克风和扬声器的设计被引量:2
2000年
:基于现有的硅基 Pb(Zr,Ti) O3 (PZT)铁电薄膜的制备工艺 ,提出了一种用于微麦克风和扬声器的新型 PZT悬臂式振膜结构。对这种悬臂结构的结构参数进行了优化设计 ,并对其灵敏度和声输出进行了理论分析。结果表明采用这种 PZT悬臂式结构的微麦克风和扬声器的性能有望超过以往文献中报道过的微麦克风和扬声器。
任天令张林涛刘理天李志坚
关键词:铁电薄膜
共2页<12>
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