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国家科技重大专项(2009ZX02302-04)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：杨仕谦刘明龙世兵李德君王琴更多>>
相关机构：安徽大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院重大科研装备研制项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇非挥发性存储...
  • 1篇俘获
  • 1篇高K材料
  • 1篇NVM
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇安徽大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇张满红
  • 1篇刘璟
  • 1篇陈军宁
  • 1篇杨潇楠
  • 1篇王永
  • 1篇代月花
  • 1篇王琴
  • 1篇李德君
  • 1篇龙世兵
  • 1篇刘明
  • 1篇杨仕谦

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展被引量：2
2009年
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。
李德君刘明龙世兵王琴张满红刘璟杨仕谦王永杨潇楠陈军宁代月花
关键词：高K材料
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