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张伟

作品数:29 被引量:25H指数:3
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
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63 条 记 录,以下是 1-10
刘志弘
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉东
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构:清华大学
研究主题:沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李希有
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT RIE 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李高庆
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 锗硅异质结双极晶体管 发射极 发射区 多晶硅发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊小义
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE_HBT HBT SIGE 多晶发射极 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付军
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周卫
供职机构:清华大学
研究主题:晶圆片 半导体制造设备 激光 半导体制造技术 激光加工
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈长春
供职机构:信阳师范学院物理与电子信息工程学院
研究主题:SIGE 超晶格薄膜 单片 HBT 红外加热
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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