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周智慧

作品数:1 被引量:5H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
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10 条 记 录,以下是 1-10
刘二海
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周晓龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 INP单晶 单晶生长 掺杂 波函数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨光耀
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐永强
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董彦辉
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:介电常数 INP单晶 硫 磷 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李光平
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:砷化镓 硅 碳 半导体材料 光荧光谱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙同年
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢德良
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
安娜
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题:离子注入 P INP单晶 硫 磷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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