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闫伟

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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11 条 记 录,以下是 1-10
刘忠山
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:脉冲源 等离子体波 高功率 管芯 管壳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王勇
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:GAN SIC_MESFET X波段 输出功率 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王敬轩
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:硅基 抛光液 抛光速率 抛光工艺 化学机械抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永维
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:场限环 击穿电压 肖特基势垒二极管 MOSFET SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴洪江
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波单片集成电路 砷化镓 MMIC 宽带 单片微波集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈凤霞
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 耗尽型 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张万生
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:LED 功率LED 封装 固体光源 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘健
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:测试仪 LED器件 LED 可靠性 热阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
默立冬
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:双极型晶体管 功率附加效率 偏置电路 双极型 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪江涛
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:偏置电路 双极型晶体管 功率附加效率 双极型 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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