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阙蔺兰

作品数:6 被引量:9H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 12个电子电信
  • 5个化学工程
  • 5个自动化与计算...
  • 2个电气工程
  • 2个理学
  • 1个天文地球
  • 1个一般工业技术

主题

  • 10个电荷耦合
  • 10个电荷耦合器
  • 10个电荷耦合器件
  • 10个多晶
  • 10个多晶硅
  • 10个CCD
  • 9个氮化
  • 9个氮化硅
  • 9个淀积
  • 8个刻蚀
  • 7个低压化学气相...
  • 7个沾污
  • 7个铁离子
  • 7个气相淀积
  • 5个形貌
  • 5个氧化层
  • 5个栅介质
  • 5个图像
  • 5个图像传感器
  • 4个时间延迟积分

机构

  • 11个重庆光电技术...
  • 1个电子科技大学
  • 1个中国国防科技...

资助

  • 1个国家高技术研...
  • 1个国家杰出青年...
  • 1个教育部“新世...
  • 1个中国人民解放...

传媒

  • 12个半导体光电
  • 3个电子技术(上...
  • 2个电子科技
  • 2个2004全国...
  • 1个光电子.激光
  • 1个半导体情报
  • 1个物理学报
  • 1个材料导报
  • 1个物理化学学报
  • 1个中国科学(E...
  • 1个传感技术学报
  • 1个集成电路应用
  • 1个中国检验检测
  • 1个光电子
  • 1个第八届中国微...

地区

  • 11个重庆市
  • 1个北京市
12 条 记 录,以下是 1-10
廖乃镘
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:电荷耦合器件 CCD 氢化非晶硅薄膜 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗春林
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:电荷耦合器件 多晶硅 硅片 CCD 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD TDI 高分辨率 可见光CCD 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李仁豪
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 电荷耦合器件 TDI 读出电路 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向华兵
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD LPCVD 表面光电压 氮化硅 电荷耦合器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘昌林
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 电荷耦合器件 光晕 晕结构 CCD图像传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍明娟
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 穿刺 铝 金属化 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟四成
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 减薄 成像 图像传感器 传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志国
供职机构:中国国防科技信息中心
研究主题:表面光电压 氮化硅 铁离子 低压化学气相淀积 沾污
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向鹏飞
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 刻蚀 选择比 反应离子刻蚀 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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