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王坤

作品数:2 被引量:5H指数:1
供职机构:重庆邮电大学更多>>
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12 条 记 录,以下是 1-10
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张皓博
供职机构:重庆邮电大学
研究主题:误差放大器 超低压差 线性稳压器 低压差 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷万军
供职机构:重庆邮电大学
研究主题:瞬态仿真 N^+ 功率二极管 触发 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:VDMOS器件 VDMOS 半导体工艺 抗辐射加固 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁大胜
供职机构:重庆大学
研究主题:温度补偿 超低压差 线性稳压器 误差放大器 温度系数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗俊
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:可靠性 电磁性能 半导体器件 模拟集成电路 显微结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤洁
供职机构:重庆邮电大学
研究主题:延迟锁相环 超低压差 线性稳压器 误差放大器 温度系数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁锋
供职机构:重庆邮电大学
研究主题:超低压差 线性稳压器 误差放大器 低压差
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄磊
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 绝缘层 介质耐压 终端 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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