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翟江皞

作品数:6 被引量:8H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

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资助

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传媒

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刘昌举
供职机构:中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题:CMOS图像传感器 读出电路 CCD 像素 焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
祝晓笑
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 读出电路 动态范围 模数转换器 CMOS读出电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李明
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 ADC CMOS读出电路 传感器 压控振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任思伟
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 图像传感器 ADC 电荷耦合器件 CMOS读出电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘戈扬
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 CMOS读出电路 压控振荡器 自校准 自偏置
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李毅强
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 寄生 动态范围 LDO CMOS图像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小东
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 电荷耦合器件 CMOS图像传感器 CMOS读出电路 MPP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵洋立
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:封装 平行缝焊 电极对 电极 LVDS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴治军
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 锁相环 CTIA CMOS图像 PGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐代飞
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:氮化硅 选择比 二氧化硅 等离子体刻蚀 片上系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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