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刘波

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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  • 3个光通信技术
  • 3个天津大学学报
  • 2个物理学报
  • 2个电子技术应用

地区

  • 5个河北省
  • 4个天津市
共 9 条 记 录，以下是 1-9
冯志红
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 场效应晶体管 金刚石 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢生
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 标准CMOS工艺 跨阻放大器 光互连 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛陆虹
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 CMOS工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 场效应晶体管 氮化物 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张世林
供职机构：天津大学
研究主题：共振隧穿二极管 RTD CMOS 光电探测器 振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：AL 铝 氮化镓 活性剂 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王浩
供职机构：天津大学电子信息工程学院
研究主题：铟 氮化镓 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 直流特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁栋
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：AL 铝 氮化镓 活性剂 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁凤坡
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 SI衬底 HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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