您的位置： 专家智库 > >

周桂丽

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华越微电子有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 5个电子电信
  • 1个经济管理
  • 1个电气工程
  • 1个自动化与计算...

主题

  • 5个电参数
  • 5个电路
  • 5个淀积
  • 5个氧化层
  • 5个沾污
  • 5个沾污物
  • 5个正向压降
  • 5个势垒
  • 5个势垒层
  • 5个重掺杂
  • 5个外延层
  • 4个低压
  • 4个电场
  • 4个电场分布
  • 4个电流
  • 4个短路现象
  • 4个性能要求
  • 4个中低压
  • 4个双层布线
  • 4个双极

机构

  • 5个华越微电子有...

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 2个绍兴市科技计...
  • 2个浙江省科技厅...
  • 1个浙江省重大科...
  • 1个教育部重点实...

传媒

  • 2个半导体技术
  • 2个电子质量
  • 2个微电子学
  • 1个微处理机
  • 1个微纳电子技术
  • 1个绍兴文理学院...
  • 1个电源学报
  • 1个2003中国...

地区

  • 5个浙江省
共 5 条 记 录，以下是 1-5
周卫宏
供职机构：华越微电子有限公司
研究主题：氧化层 性能要求 光刻 溅射 划片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余庆
供职机构：华越微电子有限公司
研究主题：发射区 沟槽 金属 介质隔离 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓新
供职机构：华越微电子有限公司
研究主题：氧化层 沟槽 金属 介质隔离 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘国刚
供职机构：华越微电子有限公司
研究主题：氧化层 VDMOS器件 沟槽 介质隔离 桥区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何火军
供职机构：华越微电子有限公司
研究主题：VDMOS器件 氧化层 P沟道 高温退火 分立器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0