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谢媛媛

作品数：15 被引量：22H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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共 30 条 记 录，以下是 1-10
吴洪江
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 砷化镓 MMIC 宽带 单片微波集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李富强
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 MMIC 赝配高电子迁移率晶体管 数字衰减器 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏洪涛
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 MMIC GAAS 多功能芯片 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方园
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 微波单片集成电路 宽带 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向玮
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：移相器 超低功耗 GAN_HEMT器件 功率附加效率 工艺特点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘文杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：宽带 微波单片集成电路 MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高学邦
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 微波单片集成电路 毫米波 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李远鹏
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 GAAS 多功能芯片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈凤霞
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 耗尽型 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘如青
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 微波单片集成电路 功率放大器 低噪声放大器 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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