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刘军

作品数：8 被引量：20H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 7个江苏省
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陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑雪帆
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 功率PHEMT 异质结器件 异质结 INGAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军贤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT HEMT 单片低噪声放大器 低噪声放大器 KA波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝西萍
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 开关 开关模型 金属半导体场效应晶体管 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔宝文
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 单片低噪声放大器 KU波段 MMIC HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
华培忠
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：大功率 振荡 场效应晶体管 波段 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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