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王国伟

作品数：77 被引量：14H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任正伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 INAS/GASB超晶格 盖层 红外光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS/GASB超晶格 超晶格 分子束外延生长 锑化物 SB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 半导体激光器 中红外 波导 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢军亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 超晶格材料 分子束外延 INAS/GASB超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 超晶格材料 INAS/GASB超晶格 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩玺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：长波 分子束外延 红外探测器 探测器 超晶格材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺振宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 纳米线 超晶格 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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