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张金利

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王应利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
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胡炜杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 衬底 INAS INP 表面形貌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 单晶生长 INAS INP单晶 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙文荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志远
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段满龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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