您的位置： 专家智库 > >

刘利峰

作品数：68 被引量：14H指数：2
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

领域

  • 10个电子电信
  • 5个自动化与计算...
  • 3个金属学及工艺
  • 3个电气工程
  • 2个经济管理
  • 1个建筑科学
  • 1个文化科学

主题

  • 10个二极管
  • 9个双极晶体管
  • 9个晶体管
  • 9个绝缘栅
  • 9个绝缘栅双极晶...
  • 9个硅片
  • 8个快恢复二极管
  • 7个多晶
  • 7个多晶硅
  • 7个氧化层
  • 7个欧姆接触
  • 6个淀积
  • 6个雪崩
  • 5个电极
  • 5个氧化炉
  • 5个制作方法
  • 4个单管
  • 4个电导调制
  • 4个电动
  • 4个电动汽车

机构

  • 12个江苏宏微科技...
  • 1个东南大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个沈阳工业大学
  • 1个西安电力电子...

资助

  • 1个国家自然科学...
  • 1个江苏省科技成...

传媒

  • 6个2008中国...
  • 5个2008年中...
  • 4个电力电子技术
  • 3个中国电器工业...
  • 1个半导体技术
  • 1个微电子学与计...
  • 1个液晶与显示
  • 1个电子器件
  • 1个常州工学院学...
  • 1个电力电子
  • 1个2000'I...
  • 1个中国电工技术...
  • 1个中国电工技术...
  • 1个中国电工技术...
  • 1个’02学术年...

地区

  • 12个江苏省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
赵善麒
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：功率模块 封装结构 基板 IGBT 功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张景超
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：绝缘栅双极晶体管 源区 多晶硅 栅氧化层 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戚丽娜
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：绝缘栅双极晶体管 源区 多晶硅 快恢复二极管 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓宝
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：功率模块 半导体芯片 金属陶瓷 基板 IGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林茂
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：快恢复二极管 源区 金属阳极 漂移区 氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴迪
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：发射区 空穴 开关特性 绝缘栅双极晶体管 精确控制
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘清军
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：MOS结构 功率晶体管 空间电荷区 开关特性 多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱锴
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：快恢复二极管 氧化层 沟槽式 多晶硅 金属阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李栋良
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：LDMOS 体硅 场限环 场极板 LDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周东海
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司
研究主题：槽壁 硅片 沟槽 集电极 绝缘栅双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0